01Equipo de desarrollo de recubrimiento: el "guardián detrás de escena" del proceso de litografía

En el enlace de litografía de la fabricación de semiconductores, el equipo de desarrollo de recubrimiento y la máquina de litografía deben trabajar juntos para lograr un proceso de litografía preciso. Antes del proceso de exposición, la oportunidad de aplicar el fotorresistente se aplica uniformemente en la superficie de la obleas; Después de la exposición, el equipo de desarrollo procesa la obleas y desarrolla el patrón de litografía formado por la exposición. Requisitos de rendimiento del equipo para todo el procesoExtremadamente altoEs necesario completar la respuesta en milisegundos, al tiempo que se garantiza la precisión operativa a nivel nanométrico, para garantizar la precisión y estabilidad del proceso de litografía y, a su vez, la calidad de fabricación de dispositivos semiconductores.

1,Principio del equipo:

Enlace de aplicación de pegamento:El fotorresistente se cubre uniformemente en la superficie de la obleas a través del recubrimiento rotativo o el recubrimiento por pulverización, que generalmente se divide enRecubrimiento giratorio estático y recubrimiento giratorio dinámico, el recubrimiento giratorio estático es gotear pegamento cuando la obleas están estáticas, la placa giratoria impulsa la rotación de la obleas para completar el proceso de lanzamiento de pegamento y disolvente volátil; El recubrimiento giratorio dinámico es el proceso en el que la pasta gotea mientras realiza una rotación de baja velocidad, y luego acelera la rotación para completar el proceso de lanzamiento de pegamento y disolvente volátil. El tipo de pulverización consiste en rociar el fotorresistente a la superficie de la obleas en forma de "niebla de pegamento" a través de una boca de pegamento que se mueve de ida y vuelta en una trayectoria de conducción específica a través de un equipo de pulverización.

Enlace de desarrollo: la pasta expuesta es tratada por un desarrollador, que suele ser una solución ácida o alcalina que puede disolver el fotorresistente o cambiar sus propiedades físicas para que sea fácil de eliminar. Durante el desarrollo, la obleas se sumergen en el desarrollador durante un período de tiempo, y el desarrollador reaccionará químicamente con el fotorresistente.El fotorresistente no expuesto se disuelve o conserva, formando así un patrón correspondiente a la versión de máscara.

2,Desafíos centrales:

La clave para aplicar el pegamento esEs necesario controlar el grosor y la uniformidad de la película de pegamento, y es necesario controlar con precisión la velocidad de rotación, el punto de caída del pegamento y otros parámetros.

En el proceso de desarrollo, la precisión de posicionamiento de la obleas y la uniformidad de la pulverización del desarrollador afectan directamente la precisión del ancho de línea y la rugosidad del borde del patrón.

Requisitos de control de ultraprecisión:La estabilidad de la velocidad de la máquina de recubrimiento debe controlarse en un rango muy pequeño para garantizar la uniformidad del espesor del fotorresistente.

Precisión del control de temperatura:El control de temperatura de la cavidad de cocción debe alcanzar con precisión un estándar estricto con un error de no más de 0,1 grados.

Seguridad en el procesamiento de obleas:Las obleas deben mantenerse estables durante el procesamiento y el transbordo entre equipos para evitar daños.

Estabilidad química:Los componentes clave del equipo deben resistir la corrosión a largo plazo de varios reactivos químicos.

02La nanotecnología piezoeléctrica "muestra sus puños y pies" en equipos de desarrollo de pegamento

Ventajas de la nanotecnología piezoeléctrica:

1. resolución de posicionamiento a nivel nanométrico:A través del efecto piezoeléctrico inverso de la cerámica piezoeléctrica, se realiza el control de desplazamiento a nivel nanométrico, que puede coincidir con los requisitos a nivel nanométrico del espesor de la película adhesiva durante el proceso de recubrimiento.

2. respuesta dinámica a nivel de milisegundos:La conducción piezoeléctrica casi no tiene brecha de transmisión mecánica, el tiempo de respuesta puede alcanzar el nivel de milisegundos, puede cooperar con el sistema de retroalimentación de circuito cerrado, seguir la rotación de alta velocidad de la obleas en tiempo real o realizar un posicionamiento rápido de la posición de pulverización para evitar el desplazamiento del patrón causado por el retraso en el movimiento.

3. diseño sin fricción y baja vibración:El interior de la nanoplataforma piezoeléctrica utiliza un mecanismo de guía de bisagras flexibles sin fricción, con poco desgaste mecánico. La amplitud de vibración se controla en la categoría de nanómetros durante la operación, eliminando los posibles errores de temblor causados es es por la conducción mecánica tradicional, que es adecuada para los estrictos requisitos de estabilidad de la obleas durante el desarrollo.

03Nanotecnología piezoeléctrica del núcleo mañana: inyectar "alma de precisión" en el equipo de desarrollo de pegamento

XinmingPlataforma de posicionamiento nanométrico piezoeléctrica celestial

La Plataforma de posicionamiento nanométrico piezoeléctrico es una plataforma piezoeléctrica que utiliza cerámica piezoeléctrica como fuente de accionamiento y combina mecanismos de bisagras flexibles para realizar movimientos de precisión de eje x, eje z, eje xy, eje XZ y seis ejes. la forma de accionamiento incluye mecanismos de accionamiento directo y mecanismos de amplificación de cerámica piezoeléctrica. El rango de movimiento puede alcanzar el nivel milimétrico, con las características de pequeño tamaño, sin fricción y velocidad de respuesta rápida, equipado con sensores de alta precisión, puede lograr una resolución A nivel nanométrico y precisión de posicionamiento, el núcleo mañana la Plataforma de posicionamiento nanométrico piezoeléctrica juega un papel vital en el campo del posicionamiento de precisión.

Plataforma de posicionamiento nanométrico piezoeléctrico de seis ejes de la serie h64

La Plataforma de posicionamiento nanométrico piezoeléctrico de ultra alta resolución de la serie h64 se basa enComo fuente de accionamiento, la cerámica piezoeléctrica se puede combinar con el mecanismo de bisagras flexibles para realizar el Movimiento de precisión de seis dimensiones del eje x, el eje y, el eje z, Theta x, Theta y y Theta Z. la forma de accionamiento es la conducción mecánica amplificada. La versión abierta / de circuito cerrado está disponible, con una precisión de posicionamiento de circuito cerrado de hasta el 0,1% f.s., que es muy adecuada para aplicaciones de posicionamiento de alta precisión.

característica

▲ Movimiento de seis ejes x, y, z, Theta x, Theta y, Theta Z

▲ opcional con sensor de retroalimentación de circuito cerrado

▲ capacidad de carga de 10 kg

▲ resolución súper alta

Parámetros técnicos

Plataforma de nanoposicionamiento piezoeléctrica de seis ejes de la serie h64a.xyztr2s / K - C

La serie h64a.xyztr2s / K - C es una plataforma de nanoposicionamiento piezoeléctrica de movimiento de seis ejes x, y, z, Theta x, Theta y, Theta z, que puede producir Movimiento de ultraprecisión de seis ejes y es adecuada para posicionamiento estático y ajuste dinámico de postura. El interior de la Plataforma de posicionamiento está diseñado con un mecanismo paralelo, lo que puede lograr una mejor dinámica. Tiene cerámica piezoeléctrica de alto rendimiento incorporada, que puede lograr un desplazamiento lineal de X ± 9 / y ± 9,5 / z155 micras y un ángulo de desviación de Theta x Theta y ± 1,1 / Theta Z ± 1 mrad. El diseño del puente completo de la versión de circuito cerrado evita la deriva de la temperatura y garantiza la precisión de posicionamiento a nivel nanométrico.

característica

▲ movimiento del eje x, y, z, Theta x, Theta y, Theta Z en seis dimensiones

▲ recorrido en línea recta: x ± 9 / y ± 9,5 / z155 μm

▲ recorrido de desviación: Theta x Theta y ± 1,1 / Theta Z ± 1 mrad

▲ alta precisión de posicionamiento de circuito cerrado

▲ el uso interno de mecanismos paralelos puede lograr una mejor dinámica

▲ puede transportar hasta 12 kg

Parámetros técnicos

Nota: los parámetros anteriores se miden con el controlador piezoeléctrico e00.d6k04. El límite superior de tensión de conducción puede ser de - 20v a 150v; Para un uso a largo plazo altamente confiable, se recomienda que el voltaje de conducción sea de 0 a 120v.

Impulsor de cerámica piezoeléctrica del núcleo mañana

En el proceso de desarrollo de pegamento, el acelerador de cerámica piezoeléctrica se puede controlar con precisión: precisión de apertura y cierre de válvulas, cantidad de pegamento y ajuste fino de la transmisión de obleas, etc. El impulsor de cerámica piezoeléctrica Core Tomorrow tiene un tiempo de respuesta extremadamente rápido de microsegundos, una frecuencia de hasta miles de Hertz y un desplazamiento de micras, lo que garantiza la estabilidad del proceso del equipo a alta velocidad.

Impulsor piezoeléctrico cilíndrico

El accionamiento piezoeléctrico cilíndrico se realiza encapsulando la pila de cerámica piezoeléctrica en el interior, el exterior está protegido por la carcasa de acero inoxidable cilíndrico y aplicando una fuerza de precarga a la pila de cerámica piezoeléctrica a través de la carcasa mecánica. la mayor fuerza de precarga mecánica interna se puede aplicar a aplicaciones de alta carga y alta dinámica. Puede exportar el desplazamiento y la fuerza producida por la pila de cerámica piezoeléctrica, y puede soportar una cierta fuerza de tracción.

□ estructura de tracción directa:

El impulsor de cerámica piezoeléctrica adopta una estructura de tracción directa de cerámica piezoeléctrica, que se caracteriza por una gran producción y una velocidad de respuesta rápida, y se puede configurar con sensores para retroalimentación de circuito cerrado. La parte superior e inferior del impulsor de cerámica piezoeléctrica encapsulado se fijan por hilos, respectivamente, y el método de fijación se puede personalizar, como hilos externos, hilos internos, cabezas de bola, cabezas planas, etc.

característica

▲ resolución A nivel nanométrico

▲ puede soportar cierta presión

▲ alta precisión de circuito cerrado

▲ el desplazamiento puede alcanzar 190 micras

▲ la producción puede alcanzar los 25000 n

Parámetros técnicos

Impulsor piezoeléctrico sellado en metal

Debido a que la carcasa está completamente sellada, el propulsor piezoeléctrico sellado con Metal logra el aislamiento del entorno atmosférico, que a su vez se ve menos afectado por la humedad ambiental, tiene una vida útil más larga y un mayor rendimiento, y es muy adecuado para diversas aplicaciones que requieren equipos de fabricación de dispositivos semiconductores y equipos de comunicación óptica de alta fiabilidad.

característica

▲ alta fiabilidad: mttf = 36000 horas se puede lograr a 85 ° C y 100v

▲ nanoposicionamiento preciso

▲ minimizar el desgaste mecánico

▲ temperatura de trabajo: - 25 ° C ~ + 85 ° c o - 40 ° C ~ + 150 ° C

▲ la producción puede alcanzar un máximo de 3600n

▲ tensión de conducción: 0 a 150v

▲ mecanismo de precarga incorporado y accesorios de instalación para facilitar la instalación en el equipo

Nota: el mttf (tiempo de medida a fallas) es el tiempo promedio antes de la falla.

Ejemplo de modelo

El h550c801wd1 - a0lf es uno de los muchos modelos de accionamiento piezoeléctrico sellado en metal del núcleo mañana, con un recorrido de hasta 55 micras y una potencia de hasta 800 N. el alto rendimiento lo hace muy adecuado para la conducción de válvulas de control de flujo de fluido, cumpliendo con los requisitos de alta fiabilidad y precisión de las válvulas de Control de flujo de fluido para los componentes de accionamiento. (hay varios modelos más disponibles y admite la personalización de parámetros).

Parámetros técnicos

Más detalles bienvenido a llamar al núcleo mañana¡Nosotros!